BSC074N15NS5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.006 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 199.72 грн |
| 500+ | 154.03 грн |
| 1000+ | 135.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC074N15NS5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.006 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC074N15NS5ATMA1 за ціною від 138.74 грн до 444.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC074N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R |
на замовлення 4934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC074N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.006 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC074N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 5935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC074N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V |
на замовлення 3181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC074N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC074N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC074N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC074N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |