Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC074N15NS5ATMA1
BSC074N15NS5ATMA1

BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC074N15NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8032bc9a7092
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+152.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm.

Інші пропозиції BSC074N15NS5ATMA1 за ціною від 168.20 грн до 445.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+270.51 грн
500+256.33 грн
1000+242.16 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.71 грн
10+249.20 грн
25+246.64 грн
100+222.53 грн
250+191.78 грн
500+170.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.71 грн
57+249.20 грн
58+246.64 грн
100+222.53 грн
250+191.78 грн
500+170.50 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+440.68 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC074N15NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8032bc9a7092 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.01 грн
10+286.81 грн
50+226.07 грн
100+193.79 грн
500+168.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc074n15ns5_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 INFINEON 3097838.pdf Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 INFINEON 3097838.pdf Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+196.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+270.51 грн
500+256.33 грн
1000+242.16 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+305.71 грн
10+249.20 грн
25+246.64 грн
100+222.53 грн
250+191.78 грн
500+170.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+305.71 грн
57+249.20 грн
58+246.64 грн
100+222.53 грн
250+191.78 грн
500+170.50 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+440.68 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 infineonbsc074n15ns5datasheetv0200en.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+443.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 Infineon-BSC074N15NS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8032bc9a7092
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.01 грн
10+286.81 грн
50+226.07 грн
100+193.79 грн
500+168.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 infineon_bsc074n15ns5_datasheet_en.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 3097838.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 3097838.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.