Технічний опис BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC076N04NDATMA1 за ціною від 36.50 грн до 166.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONPart Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSC076N04NDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSC076N04NDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC076N04NDATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 44.27 грн |
| 25+ | 43.94 грн |
| 100+ | 42.04 грн |
| 250+ | 38.62 грн |
| 500+ | 36.78 грн |
| 1000+ | 36.50 грн |
| BSC076N04NDATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 318+ | 44.27 грн |
| 320+ | 43.94 грн |
| 323+ | 43.60 грн |
| 325+ | 41.71 грн |
| 500+ | 38.32 грн |
| 1000+ | 36.50 грн |
| BSC076N04NDATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 65.27 грн |
| 30000+ | 59.64 грн |
| 45000+ | 55.49 грн |
| 60000+ | 50.47 грн |
| BSC076N04NDATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 193+ | 73.05 грн |
| 194+ | 72.49 грн |
| 200+ | 68.01 грн |
| 1000+ | 62.89 грн |
| 2000+ | 60.21 грн |
| 5000+ | 53.07 грн |
| 10000+ | 52.98 грн |
| BSC076N04NDATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 416+ | 84.54 грн |
| 500+ | 76.09 грн |
| 1000+ | 70.16 грн |
| BSC076N04NDATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 166.26 грн |
| 10+ | 102.73 грн |
| 100+ | 69.88 грн |
| 500+ | 52.38 грн |
| 1000+ | 48.13 грн |
| 2000+ | 44.57 грн |
| BSC076N04NDATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC076N04NDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC076N04NDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






