BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 42.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC076N04NDATMA1 за ціною від 33.10 грн до 168.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC076N04NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active |
товару немає в наявності |