Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC076N04NDATMA1
BSC076N04NDATMA1

BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+43.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BSC076N04NDATMA1 за ціною від 36.74 грн до 169.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.57 грн
25+44.23 грн
100+42.32 грн
250+38.88 грн
500+37.03 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.57 грн
320+44.23 грн
323+43.89 грн
325+41.99 грн
500+38.57 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.71 грн
30000+60.04 грн
45000+55.87 грн
60000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.55 грн
194+72.98 грн
200+68.46 грн
1000+63.31 грн
2000+60.62 грн
5000+53.42 грн
10000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+85.11 грн
500+76.60 грн
1000+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.30 грн
10+104.61 грн
100+71.16 грн
500+53.33 грн
1000+49.01 грн
2000+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC076N04ND_DS_v02_00_EN-1578735.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 INFINEON 3154612.pdf Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 INFINEON 3154612.pdf Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.57 грн
25+44.23 грн
100+42.32 грн
250+38.88 грн
500+37.03 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
318+44.57 грн
320+44.23 грн
323+43.89 грн
325+41.99 грн
500+38.57 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+65.71 грн
30000+60.04 грн
45000+55.87 грн
60000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+73.55 грн
194+72.98 грн
200+68.46 грн
1000+63.31 грн
2000+60.62 грн
5000+53.42 грн
10000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 infineonbsc076n04nddsv0200en.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
416+85.11 грн
500+76.60 грн
1000+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9
BSC076N04NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.30 грн
10+104.61 грн
100+71.16 грн
500+53.33 грн
1000+49.01 грн
2000+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 Infineon_BSC076N04ND_DS_v02_00_EN-1578735.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 3154612.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 3154612.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0076 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.