Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC076N04NDATMA1
BSC076N04NDATMA1

BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc076n04nd-ds-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 20A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC076N04NDATMA1 за ціною від 29.65 грн до 171.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n04nd-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n04nd-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n04nd-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+54.12 грн
226+54.04 грн
227+51.72 грн
1000+47.82 грн
10000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n04nd-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+58.53 грн
13+47.63 грн
25+47.35 грн
100+40.30 грн
250+37.26 грн
500+31.63 грн
1000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n04nd-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n04nd-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
417+73.06 грн
500+65.76 грн
1000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.56 грн
15+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC076N04ND_DS_v02_00_EN-1578735.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.43 грн
10+79.42 грн
100+50.86 грн
250+50.79 грн
500+47.41 грн
5000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.48 грн
10+105.96 грн
100+72.08 грн
500+54.02 грн
1000+49.64 грн
2000+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Category: Unclassified
Description: BSC076N04NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n04nd-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC076N04ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc2e050ce9 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.