Технічний опис BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm.
Інші пропозиції BSC076N06NS3GATMA1 за ціною від 26.47 грн до 117.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V |
на замовлення 36316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 5887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BSC076N06NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm |
на замовлення 47030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BSC076N06NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 47142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 26.47 грн |
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 29.32 грн |
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 30.72 грн |
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 30.78 грн |
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 59.90 грн |
| 237+ | 59.46 грн |
| 282+ | 49.90 грн |
| 284+ | 47.75 грн |
| 500+ | 42.52 грн |
| 1000+ | 37.83 грн |
| 3000+ | 31.68 грн |
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.24 грн |
| 13+ | 59.90 грн |
| 25+ | 59.46 грн |
| 100+ | 48.12 грн |
| 250+ | 44.21 грн |
| 500+ | 40.82 грн |
| 1000+ | 37.83 грн |
| 3000+ | 31.68 грн |
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 36316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.00 грн |
| 10+ | 71.68 грн |
| 100+ | 48.08 грн |
| 500+ | 35.64 грн |
| 1000+ | 32.59 грн |
| 2000+ | 32.43 грн |
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 47030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC076N06NS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)