Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC076N06NS3GATMA1
BSC076N06NS3GATMA1

BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

4955bsc076n06ns3_rev2.4.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0076 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC076N06NS3GATMA1 за ціною від 22.88 грн до 103.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0076 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.00 грн
500+39.33 грн
1000+33.42 грн
5000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+51.75 грн
237+51.32 грн
281+43.24 грн
284+41.34 грн
500+36.64 грн
1000+33.48 грн
3000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+65.16 грн
232+52.45 грн
233+52.13 грн
500+42.78 грн
1000+38.81 грн
2000+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc076n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+68.52 грн
13+55.45 грн
25+54.99 грн
100+44.68 грн
250+41.01 грн
500+37.68 грн
1000+35.88 грн
3000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC076N06NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3361110.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.71 грн
10+57.98 грн
100+39.93 грн
500+36.86 грн
1000+33.86 грн
2500+30.79 грн
5000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0076 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.72 грн
14+63.11 грн
100+50.00 грн
500+39.33 грн
1000+33.42 грн
5000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 37142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.73 грн
10+64.69 грн
100+48.02 грн
500+38.87 грн
1000+34.58 грн
2000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.