Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC077N12NS3GATMA1
BSC077N12NS3GATMA1

BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+81.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0066 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC077N12NS3GATMA1 за ціною від 65.40 грн до 165.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+95.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.56 грн
117+104.93 грн
129+95.17 грн
500+89.42 грн
1000+71.10 грн
2000+67.77 грн
5000+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0066 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.94 грн
500+89.66 грн
1000+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+123.34 грн
10+107.71 грн
25+106.65 грн
100+93.30 грн
250+86.05 грн
500+82.22 грн
1000+81.83 грн
3000+81.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 7372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.18 грн
10+118.94 грн
100+103.09 грн
500+90.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC077N12NS3_G_DS_v02_08_EN-3360651.pdf MOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.64 грн
10+130.29 грн
25+112.56 грн
100+98.58 грн
500+92.70 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0066 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.88 грн
10+131.22 грн
100+108.94 грн
500+89.66 грн
1000+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.