BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 84.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC077N12NS3GATMA1 за ціною від 71.10 грн до 160.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 18289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 31098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 31098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V |
на замовлення 7372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC077N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |