Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC077N12NS3GATMA1
BSC077N12NS3GATMA1

BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC077N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC077N12NS3GATMA1 за ціною від 71.27 грн до 159.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+106.00 грн
117+105.18 грн
130+94.58 грн
500+88.85 грн
1000+71.27 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.43 грн
500+97.47 грн
1000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+127.85 грн
108+113.50 грн
119+99.85 грн
250+92.24 грн
500+88.34 грн
1000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.98 грн
10+121.87 грн
25+121.61 грн
100+106.98 грн
250+98.83 грн
500+94.65 грн
1000+94.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.76 грн
10+129.52 грн
100+113.43 грн
500+97.47 грн
1000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC077N12NS3_G_DS_v02_08_EN-3360651.pdf MOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.47 грн
10+129.30 грн
100+98.10 грн
1000+92.06 грн
2500+90.55 грн
5000+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 7372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.17 грн
10+121.99 грн
100+105.74 грн
500+93.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6473252982058498dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a30432239ccc.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC62690323611C&compId=BSC077N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=bf949c3dbf388b6ac63e7067c6317750ddef892b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.