BSC079N03SG

BSC079N03SG Infineon Technologies


BSC079N03S_G.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 9619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
682+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 682
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC079N03SG Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSC079N03SG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC079N03SG Виробник : infineon BSC079N03S_G.pdf 07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SG BSC079N03SG Виробник : Infineon Technologies BSC079N03S_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03S G BSC079N03S G Виробник : Infineon Technologies BSC079N03S_Rev1.91_G-348454.pdf MOSFET N-Ch 30V 14.6A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.