Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC079N03SG
BSC079N03SG

BSC079N03SG Infineon Technologies

BSC079N03S_G.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+58.25 грн
100+51.09 грн
500+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC079N03SG Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC079N03SG за ціною від 30.21 грн до 38.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC079N03SG Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS BSC079N03S_G.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC079N03SG - BSC079N03 12V-300V NCHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SG Виробник : Infineon Technologies BSC079N03S_G.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 8-Pin TDSON EP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
788+38.66 грн
1000+35.65 грн
10000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 788
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SG Виробник : INF BSC079N03S_G.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SG Виробник : infineon BSC079N03S_G.pdf 07+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SG Виробник : Infineon BSC079N03S_G.pdf 2007
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03SG BSC079N03SG Виробник : Infineon Technologies BSC079N03S_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03S G BSC079N03S G Виробник : Infineon Technologies BSC079N03S_Rev1.91_G-348454.pdf MOSFET N-Ch 30V 14.6A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.