Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC079N10NSGATMA1
BSC079N10NSGATMA1

BSC079N10NSGATMA1 Infineon Technologies

bsc079n10nsrev1.05.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a601167b174f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+71.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC079N10NSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSC079N10NSGATMA1 за ціною від 74.42 грн до 203.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc079n10nsrev1.05.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a601167b174f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc079n10nsrev1.05.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a601167b174f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+133.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc079n10nsrev1.05.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a601167b174f.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+161.27 грн
500+145.04 грн
1000+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147 Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.31 грн
10+134.47 грн
100+97.41 грн
500+76.10 грн
1000+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147 Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC079N10NS_DS_v01_06_en-3359936.pdf MOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.