BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 138.14 грн |
| 96+ | 133.55 грн |
| 97+ | 132.27 грн |
| 98+ | 126.24 грн |
| 100+ | 116.51 грн |
| 250+ | 111.48 грн |
| 500+ | 111.12 грн |
| 1000+ | 110.83 грн |
| 3000+ | 110.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BSC0802LSATMA1 за ціною від 98.13 грн до 304.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0802LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC0802LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC0802LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 8262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC0802LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC0802LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V |
на замовлення 1111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BSC0802LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001614074 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
|
BSC0802LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |