Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0802LSATMA1
BSC0802LSATMA1

BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies

Infineon_BSC0802LS_DataSheet_v02_03_EN-3360754.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 8262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.91 грн
10+158.87 грн
25+133.92 грн
100+121.23 грн
250+119.82 грн
500+111.36 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC0802LSATMA1 за ціною від 91.37 грн до 294.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0802LSATMA1 BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0802LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae60170870e032d1d39 Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.87 грн
10+179.67 грн
100+126.75 грн
500+97.77 грн
1000+91.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 BSC0802LSATMA1 INFINEON 3049653.pdf Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+294.38 грн
50+194.06 грн
250+137.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 BSC0802LSATMA1 INFINEON 3049653.pdf Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+294.38 грн
50+194.06 грн
250+137.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 Infineon-BSC0802LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae60170870e032d1d39
BSC0802LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+283.87 грн
10+179.67 грн
100+126.75 грн
500+97.77 грн
1000+91.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 3049653.pdf
BSC0802LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+294.38 грн
50+194.06 грн
250+137.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0802LSATMA1 3049653.pdf
BSC0802LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0802LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+294.38 грн
50+194.06 грн
250+137.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.