BSC0804LSATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0804LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Технічний опис BSC0804LSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC0804LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BSC0804LSATMA1 за ціною від 58.43 грн до 206.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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BSC0804LSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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BSC0804LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0804LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BSC0804LSATMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.06 грн |
| 10+ | 136.17 грн |
| 100+ | 95.15 грн |
| 500+ | 79.65 грн |
| 1000+ | 64.84 грн |
| 2500+ | 62.24 грн |
| 5000+ | 58.43 грн |
| BSC0804LSATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0804LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC0804LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 206.40 грн |
| 10+ | 133.21 грн |
| 100+ | 95.39 грн |
| 500+ | 74.45 грн |
| 1000+ | 59.06 грн |