BSC0805LSATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 230+ | 154.74 грн |
| 500+ | 139.39 грн |
| 1000+ | 128.76 грн |
| 10000+ | 110.43 грн |
| 100000+ | 85.67 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
230 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0805LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.
Інші пропозиції BSC0805LSATMA1 за ціною від 110.43 грн до 154.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0805LSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 73034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BSC0805LSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 18020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BSC0805LSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 11167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
BSC0805LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
BSC0805LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC0805LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 73034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 230+ | 154.74 грн |
| 500+ | 139.39 грн |
| 1000+ | 128.76 грн |
| 10000+ | 110.43 грн |
| BSC0805LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 230+ | 154.74 грн |
| 500+ | 139.39 грн |
| 1000+ | 128.76 грн |
| 10000+ | 110.43 грн |
| BSC0805LSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 11167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC0805LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC0805LSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
Description: INFINEON - BSC0805LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)