Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC080N03MSGATMA1
BSC080N03MSGATMA1

BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies

4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC080N03MSGATMA1 за ціною від 17.55 грн до 54.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.53 грн
10000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC080N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de6cfd390383 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
944+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 944
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.16 грн
14+28.82 грн
39+23.39 грн
107+22.17 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.40 грн
10+35.92 грн
39+28.07 грн
107+26.60 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+50.95 грн
332+36.75 грн
335+36.41 грн
500+29.60 грн
1000+21.06 грн
3000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+54.02 грн
13+47.71 грн
25+47.31 грн
100+32.91 грн
250+30.19 грн
500+24.43 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC080N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de6cfd390383 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC080N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de6cfd390383 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC080N03MSG_DS_v02_01_en-3359938.pdf MOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.