Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC080N03MSGATMA1
BSC080N03MSGATMA1

BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies

4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+26.01 грн
10000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC080N03MSGATMA1 за ціною від 20.26 грн до 67.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC080N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de6cfd390383 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 719667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.69 грн
15+28.74 грн
100+26.68 грн
250+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+58.81 грн
332+42.42 грн
335+42.03 грн
500+34.17 грн
1000+24.31 грн
3000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.15 грн
13+59.31 грн
25+58.81 грн
100+40.90 грн
250+37.52 грн
500+30.37 грн
1000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 Infineon-BSC080N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de6cfd390383
BSC080N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 719667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
642+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSG-DTE.pdf
BSC080N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.69 грн
15+28.74 грн
100+26.68 грн
250+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf
BSC080N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+58.81 грн
332+42.42 грн
335+42.03 грн
500+34.17 грн
1000+24.31 грн
3000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N03MSGATMA1 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf
BSC080N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+67.15 грн
13+59.31 грн
25+58.81 грн
100+40.90 грн
250+37.52 грн
500+30.37 грн
1000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.