BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 26.36 грн |
| 10000+ | 24.09 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSC080N03MSGATMA1 за ціною від 20.54 грн до 68.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC080N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSONPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V |
на замовлення 718867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC080N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 35W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC080N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC080N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSC080N03MSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 718867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 642+ | 34.08 грн |
| BSC080N03MSGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 41.77 грн |
| 15+ | 28.80 грн |
| 100+ | 26.74 грн |
| 250+ | 25.50 грн |
| BSC080N03MSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 59.60 грн |
| 332+ | 42.99 грн |
| 335+ | 42.59 грн |
| 500+ | 34.63 грн |
| 1000+ | 24.64 грн |
| 3000+ | 20.54 грн |
| BSC080N03MSGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 68.06 грн |
| 13+ | 60.10 грн |
| 25+ | 59.60 грн |
| 100+ | 41.45 грн |
| 250+ | 38.03 грн |
| 500+ | 30.78 грн |
| 1000+ | 23.65 грн |