Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC080N12LSGATMA1
BSC080N12LSGATMA1

BSC080N12LSGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+87.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC080N12LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSC080N12LSGATMA1 за ціною від 83.17 грн до 250.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC080N12LSGATMA1 BSC080N12LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC080N12LS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360885.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.80 грн
10+154.81 грн
100+98.68 грн
500+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 BSC080N12LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 Infineon_BSC080N12LS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360885.pdf
BSC080N12LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+250.80 грн
10+154.81 грн
100+98.68 грн
500+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a
BSC080N12LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.