Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC082N10LSGATMA1
BSC082N10LSGATMA1

BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies

bsc082n10lsrev1.07.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a6011647faad.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC082N10LSGATMA1 за ціною від 79.58 грн до 262.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.90 грн
500+109.61 грн
1000+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+217.35 грн
10+180.72 грн
100+144.90 грн
500+109.61 грн
1000+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.18 грн
10+164.71 грн
100+115.10 грн
500+88.11 грн
1000+81.71 грн
2000+79.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc082n10lsrev1.07.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a6011647faad.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.