Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC084P03NS3GATMA1
BSC084P03NS3GATMA1

BSC084P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc084p03ns3g_2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC084P03NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC084P03NS3GATMA1 за ціною від 27.37 грн до 67.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+42.53 грн
100+34.66 грн
500+29.12 грн
1000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC084P03NS3_G_DS_v02_01_en-1731137.pdf MOSFETs P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.72 грн
10+56.60 грн
100+37.89 грн
500+32.30 грн
1000+29.13 грн
2500+27.44 грн
5000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c BSC084P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.