BSC084P03NS3GATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.13 грн |
| 500+ | 27.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC084P03NS3GATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC084P03NS3GATMA1 за ціною від 25.20 грн до 106.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC084P03NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC084P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78.6 A, 0.0084 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC084P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3 |
на замовлення 6727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC084P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC084P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |