Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC088N15LS5ATMA1
BSC088N15LS5ATMA1

BSC088N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 75 V
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.42 грн
10+132.65 грн
100+108.80 грн
500+86.63 грн
1000+83.91 грн
2000+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC088N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 107µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSC088N15LS5ATMA1 за ціною від 83.13 грн до 213.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC088N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398036.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.72 грн
10+175.13 грн
100+121.39 грн
250+111.82 грн
500+101.52 грн
1000+86.81 грн
2000+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.