Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0901NSATMA1
BSC0901NSATMA1

BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0901NSATMA1 за ціною від 19.38 грн до 106.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.53 грн
26+24.14 грн
100+22.91 грн
250+20.87 грн
500+19.70 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
465+26.42 грн
472+26.00 грн
480+25.59 грн
488+24.27 грн
500+22.10 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 465
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
438+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
902+33.99 грн
1000+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
332+37.02 грн
406+30.24 грн
419+29.26 грн
500+26.72 грн
1000+24.67 грн
2000+23.61 грн
5000+23.40 грн
10000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.19 грн
250+45.33 грн
1000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.73 грн
50+58.47 грн
250+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0901NS_DataSheet_v02_03_EN-3360886.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.36 грн
10+67.33 грн
100+41.71 грн
500+33.29 грн
1000+27.86 грн
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 29305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.79 грн
10+57.80 грн
100+40.63 грн
500+32.41 грн
1000+27.57 грн
2000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874C74A719211C&compId=BSC0901NS-DTE.pdf?ci_sign=c4ca8f01c906c426307c8d2a8a0a879bd446b155 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874C74A719211C&compId=BSC0901NS-DTE.pdf?ci_sign=c4ca8f01c906c426307c8d2a8a0a879bd446b155 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.