Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0901NSATMA1
BSC0901NSATMA1

BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0901NSATMA1 за ціною від 19.33 грн до 105.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.47 грн
26+24.08 грн
100+22.86 грн
250+20.82 грн
500+19.66 грн
1000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
465+26.35 грн
472+25.94 грн
480+25.53 грн
488+24.22 грн
500+22.05 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 465
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
438+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
902+33.91 грн
1000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
332+36.94 грн
406+30.17 грн
419+29.19 грн
500+26.65 грн
1000+24.61 грн
2000+23.55 грн
5000+23.34 грн
10000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.51 грн
250+44.70 грн
1000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.35 грн
50+57.65 грн
250+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0901NS_DataSheet_v02_03_EN-3360886.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.88 грн
10+66.39 грн
100+41.13 грн
500+32.83 грн
1000+27.47 грн
5000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 29305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.30 грн
10+56.99 грн
100+40.06 грн
500+31.95 грн
1000+27.19 грн
2000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874C74A719211C&compId=BSC0901NS-DTE.pdf?ci_sign=c4ca8f01c906c426307c8d2a8a0a879bd446b155 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874C74A719211C&compId=BSC0901NS-DTE.pdf?ci_sign=c4ca8f01c906c426307c8d2a8a0a879bd446b155 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.