Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0901NSIATMA1
BSC0901NSIATMA1

BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
819+14.91 грн
832+14.67 грн
845+14.45 грн
859+13.71 грн
873+12.48 грн
1000+11.79 грн
3000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 819
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0901NSIATMA1 за ціною від 10.77 грн до 130.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+28.72 грн
43+14.06 грн
44+13.84 грн
45+13.14 грн
100+11.98 грн
250+11.32 грн
500+11.13 грн
1000+10.95 грн
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc0901nsi_rev_2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
338+36.11 грн
339+36.03 грн
341+35.87 грн
500+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.57 грн
500+54.72 грн
1000+38.76 грн
5000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.79 грн
10+94.08 грн
100+69.57 грн
500+54.72 грн
1000+38.76 грн
5000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.51 грн
10+79.70 грн
100+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874DAA9396E11C&compId=BSC0901NSI-DTE.pdf?ci_sign=1a6e993ca51164ce3845b282c744d47c054d2816 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3874DAA9396E11C&compId=BSC0901NSI-DTE.pdf?ci_sign=1a6e993ca51164ce3845b282c744d47c054d2816 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.