Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSATMA1
BSC0902NSATMA1

BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
685+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 685
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0902NSATMA1 за ціною від 20.85 грн до 89.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3696bsc0902ns_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.79 грн
10000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+28.05 грн
440+27.77 грн
463+26.39 грн
464+25.40 грн
500+23.28 грн
1000+22.11 грн
3000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+30.74 грн
24+30.05 грн
25+29.75 грн
100+27.27 грн
250+25.20 грн
500+23.94 грн
1000+23.69 грн
3000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.37 грн
26+33.19 грн
100+27.53 грн
500+23.05 грн
1000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+53.28 грн
250+48.80 грн
265+46.12 грн
500+40.16 грн
1000+30.36 грн
5000+23.15 грн
10000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0902NS_DataSheet_v02_04_EN-3360667.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.64 грн
10+62.94 грн
100+37.26 грн
500+31.17 грн
1000+26.50 грн
2500+24.01 грн
5000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 14168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.57 грн
10+37.95 грн
100+30.39 грн
500+27.48 грн
1000+26.24 грн
2000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.