BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 685+ | 17.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC0902NSATMA1 за ціною від 21.74 грн до 89.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC0902NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 6011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V |
на замовлення 14168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC0902NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| BSC0902NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC0902NSATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |