Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSATMA1
BSC0902NSATMA1

BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
685+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 685
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0902NSATMA1 за ціною від 21.17 грн до 97.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.09 грн
10000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3696bsc0902ns_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+28.59 грн
440+28.30 грн
463+26.90 грн
464+25.89 грн
500+23.73 грн
1000+22.53 грн
3000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.33 грн
24+30.63 грн
25+30.33 грн
100+27.80 грн
250+25.68 грн
500+24.40 грн
1000+24.14 грн
3000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.63 грн
26+34.23 грн
100+28.39 грн
500+23.78 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+54.30 грн
250+49.74 грн
265+47.01 грн
500+40.93 грн
1000+30.94 грн
5000+23.59 грн
10000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0902NS_DataSheet_v02_04_EN-3360667.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.23 грн
10+64.91 грн
100+38.43 грн
500+32.14 грн
1000+27.33 грн
2500+24.76 грн
5000+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 17278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.41 грн
10+59.20 грн
100+39.12 грн
500+28.65 грн
1000+26.06 грн
2000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.