Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSATMA1
BSC0902NSATMA1

BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
685+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 685
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC0902NSATMA1 за ціною від 20.36 грн до 89.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3696bsc0902ns_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.70 грн
24+26.11 грн
25+25.85 грн
100+23.69 грн
250+21.89 грн
500+20.80 грн
1000+20.58 грн
3000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.86 грн
10000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+28.11 грн
440+27.84 грн
463+26.46 грн
464+25.46 грн
500+23.33 грн
1000+22.16 грн
3000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+53.41 грн
250+48.92 грн
265+46.23 грн
500+40.26 грн
1000+30.43 грн
5000+23.20 грн
10000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0902NS_DataSheet_v02_04_EN-3360667.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.84 грн
10+63.09 грн
100+37.35 грн
500+31.24 грн
1000+26.56 грн
2500+24.07 грн
5000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 14168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.79 грн
10+38.04 грн
100+30.47 грн
500+27.55 грн
1000+26.30 грн
2000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.