Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSATMA1
BSC0902NSATMA1

BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+21.80 грн
10000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC0902NSATMA1 за ціною від 22.96 грн до 124.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.25 грн
10000+30.58 грн
15000+30.26 грн
25000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.41 грн
10000+30.72 грн
15000+30.40 грн
25000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 17278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.98 грн
10+55.89 грн
100+36.94 грн
500+27.06 грн
1000+24.60 грн
2000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.50 грн
187+75.85 грн
269+52.70 грн
500+40.78 грн
1000+32.50 грн
2500+29.14 грн
5000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0902NS_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.17 грн
10+75.30 грн
100+43.28 грн
500+33.97 грн
1000+29.04 грн
2500+26.29 грн
5000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+32.25 грн
10000+30.58 грн
15000+30.26 грн
25000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+32.41 грн
10000+30.72 грн
15000+30.40 грн
25000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5
BSC0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 17278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.98 грн
10+55.89 грн
100+36.94 грн
500+27.06 грн
1000+24.60 грн
2000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 infineon-bsc0902ns-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
130+109.50 грн
187+75.85 грн
269+52.70 грн
500+40.78 грн
1000+32.50 грн
2500+29.14 грн
5000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSATMA1 Infineon_BSC0902NS_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC0902NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.17 грн
10+75.30 грн
100+43.28 грн
500+33.97 грн
1000+29.04 грн
2500+26.29 грн
5000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.