Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSIATMA1
BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0902NSIATMA1 за ціною від 20.05 грн до 102.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
411+29.62 грн
435+27.99 грн
500+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 411
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.31 грн
22+27.50 грн
100+25.99 грн
500+24.17 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.64 грн
25+32.47 грн
100+31.15 грн
250+28.69 грн
500+27.40 грн
1000+27.25 грн
3000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+35.15 грн
349+34.97 грн
350+34.79 грн
352+33.36 грн
500+30.73 грн
1000+29.34 грн
3000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+35.95 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+35.95 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.62 грн
500+25.10 грн
1000+22.68 грн
5000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.08 грн
100+44.20 грн
500+27.06 грн
1000+24.49 грн
5000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 24472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.21 грн
10+50.34 грн
100+33.15 грн
500+24.17 грн
1000+21.93 грн
2000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.47 грн
8+51.55 грн
23+40.06 грн
50+39.99 грн
61+37.87 грн
100+37.57 грн
250+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.57 грн
5+64.24 грн
23+48.08 грн
50+47.98 грн
61+45.44 грн
100+45.08 грн
250+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0902NSI_DataSheet_v02_04_EN-3160616.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.