Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC0902NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2527818-3
Price: 93400.00 UAH
Availability: InStock

BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	18.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0902NSIATMA1 за ціною від 20.45 грн до 87.96 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	22.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
411+	30.26 грн
435+	28.59 грн
500+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 411

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 125000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	31.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	33.70 грн
500+	27.50 грн
1000+	21.50 грн
5000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
347+	35.92 грн
349+	35.73 грн
350+	35.54 грн
352+	34.09 грн
500+	31.40 грн
1000+	29.98 грн
3000+	29.83 грн

Мінімальне замовлення: 347

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
847+	36.74 грн
1000+	34.70 грн

Мінімальне замовлення: 847

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
847+	36.74 грн
1000+	34.70 грн

Мінімальне замовлення: 847

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	36.91 грн
22+	32.42 грн
100+	30.64 грн
500+	28.50 грн
1000+	25.98 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	38.48 грн
25+	38.29 грн
100+	36.72 грн
250+	33.82 грн
500+	32.30 грн
1000+	32.12 грн
3000+	31.96 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 24263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	86.50 грн
10+	52.24 грн
100+	34.38 грн
500+	25.07 грн
1000+	22.75 грн
2000+	20.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 7605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	87.96 грн
20+	44.33 грн
100+	33.70 грн
500+	27.50 грн
1000+	21.50 грн
5000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

BSC0902NSIATMA1 SMD N channel transistors

на замовлення 4520 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	87.58 грн
23+	51.33 грн
62+	48.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC0902NSI_DataSheet_v02_04_EN-3160616.pdf

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.