Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSIATMA1
BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSC0902NSIATMA1 за ціною від 19.64 грн до 81.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.43 грн
10000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.57 грн
10000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.84 грн
25+31.19 грн
50+30.06 грн
100+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
941+37.61 грн
1020+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
941+37.61 грн
1020+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.13 грн
10+47.00 грн
11+42.08 грн
50+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.67 грн
10+49.33 грн
100+32.47 грн
500+23.67 грн
1000+21.48 грн
2000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+28.43 грн
10000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+28.57 грн
10000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
458+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+31.84 грн
25+31.19 грн
50+30.06 грн
100+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
941+37.61 грн
1020+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
941+37.61 грн
1020+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI-DTE.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+62.13 грн
10+47.00 грн
11+42.08 грн
50+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.67 грн
10+49.33 грн
100+32.47 грн
500+23.67 грн
1000+21.48 грн
2000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.