Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSIATMA1
BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 48W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції BSC0902NSIATMA1 за ціною від 19.23 грн до 87.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.49 грн
10000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.63 грн
10000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.91 грн
25+31.26 грн
50+30.13 грн
100+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
941+37.70 грн
1020+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
941+37.70 грн
1020+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.31 грн
100+31.80 грн
500+23.18 грн
1000+21.04 грн
2000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.70 грн
9+49.19 грн
10+44.79 грн
50+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+28.49 грн
10000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+28.63 грн
10000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
458+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+31.91 грн
25+31.26 грн
50+30.13 грн
100+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
941+37.70 грн
1020+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
941+37.70 грн
1020+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 941 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.99 грн
10+48.31 грн
100+31.80 грн
500+23.18 грн
1000+21.04 грн
2000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI-DTE.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.70 грн
9+49.19 грн
10+44.79 грн
50+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.