Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSIATMA1
BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0902NSIATMA1 за ціною від 19.00 грн до 86.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
411+29.98 грн
435+28.32 грн
500+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 411
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.08 грн
500+27.00 грн
1000+21.05 грн
5000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+35.58 грн
349+35.40 грн
350+35.21 грн
352+33.77 грн
500+31.10 грн
1000+29.70 грн
3000+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+36.39 грн
1000+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
847+36.39 грн
1000+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 847
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.56 грн
22+32.12 грн
100+30.35 грн
500+28.23 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.12 грн
25+37.92 грн
100+36.37 грн
250+33.50 грн
500+31.99 грн
1000+31.82 грн
3000+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.21 грн
8+54.47 грн
10+49.40 грн
23+41.88 грн
50+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.85 грн
5+67.88 грн
10+59.28 грн
23+50.26 грн
50+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.68 грн
10+51.14 грн
100+33.66 грн
500+24.54 грн
1000+22.27 грн
2000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.11 грн
20+43.40 грн
100+33.08 грн
500+27.00 грн
1000+21.05 грн
5000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0902NSI_DataSheet_v02_04_EN-3160616.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.