Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC0902NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2527818-3
Price: 87000.00 UAH
Availability: InStock

BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	17.40 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0902NSIATMA1 за ціною від 19.05 грн до 81.94 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	26.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	26.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	31.40 грн
500+	25.61 грн
1000+	20.03 грн
5000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
411+	33.96 грн
435+	32.09 грн
500+	30.95 грн

Мінімальне замовлення: 411

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 125000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	35.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	38.65 грн
22+	33.96 грн
100+	32.09 грн
500+	29.85 грн
1000+	27.21 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	40.30 грн
25+	40.10 грн
100+	38.46 грн
250+	35.42 грн
500+	33.83 грн
1000+	33.64 грн
3000+	33.47 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
347+	40.30 грн
349+	40.10 грн
350+	39.88 грн
352+	38.25 грн
500+	35.24 грн
1000+	33.64 грн
3000+	33.47 грн

Мінімальне замовлення: 347

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 1573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
847+	41.22 грн
1000+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 847

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
847+	41.22 грн
1000+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 847

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 4437 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	61.30 грн
10+	46.37 грн
11+	41.52 грн
50+	40.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 24263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	80.58 грн
10+	48.67 грн
100+	32.03 грн
500+	23.35 грн
1000+	21.19 грн
2000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 7605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	81.94 грн
20+	41.30 грн
100+	31.40 грн
500+	25.61 грн
1000+	20.03 грн
5000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC0902NSI_DataSheet_v02_04_EN-3160616.pdf

MOSFET TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC0902NSIATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.