Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0904NSIATMA1
BSC0904NSIATMA1

BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies

BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC0904NSIATMA1 за ціною від 18.74 грн до 105.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 INFINEON INFNS27917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.29 грн
250+43.01 грн
1000+25.66 грн
3000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.50 грн
10+47.34 грн
100+31.08 грн
500+22.62 грн
1000+20.51 грн
2000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 INFINEON INFNS27917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.25 грн
50+65.29 грн
250+43.01 грн
1000+25.66 грн
3000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 INFNS27917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0904NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+65.29 грн
250+43.01 грн
1000+25.66 грн
3000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef
BSC0904NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 18382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+78.50 грн
10+47.34 грн
100+31.08 грн
500+22.62 грн
1000+20.51 грн
2000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 INFNS27917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0904NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+105.25 грн
50+65.29 грн
250+43.01 грн
1000+25.66 грн
3000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.