Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0904NSIATMA1
BSC0904NSIATMA1

BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0904NSIATMA1 за ціною від 14.67 грн до 81.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
591+20.66 грн
600+20.34 грн
2000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 591
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1288+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 1288
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1288+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 1288
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : INFINEON BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.27 грн
250+26.90 грн
1000+23.45 грн
3000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : INFINEON BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.50 грн
50+32.27 грн
250+26.90 грн
1000+23.45 грн
3000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 25965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.17 грн
10+48.97 грн
100+32.19 грн
500+23.42 грн
1000+21.24 грн
2000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38758E954B4211C&compId=BSC0904NSI-DTE.pdf?ci_sign=e9c94f7c05748051f1ed689d5cad20d2a4808e92 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef MOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38758E954B4211C&compId=BSC0904NSI-DTE.pdf?ci_sign=e9c94f7c05748051f1ed689d5cad20d2a4808e92 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.