BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies


BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSC0906NSATMA1 за ціною від 12.82 грн до 56.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1709+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 1709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.30 грн
10+33.67 грн
100+21.84 грн
500+15.68 грн
1000+14.13 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0906NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.65 грн
12+35.46 грн
25+27.32 грн
50+24.52 грн
100+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1709+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 1709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.30 грн
10+33.67 грн
100+21.84 грн
500+15.68 грн
1000+14.13 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+56.65 грн
12+35.46 грн
25+27.32 грн
50+24.52 грн
100+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.