BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 12.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC0906NSATMA1 за ціною від 12.57 грн до 70.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0906NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0906NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0906NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 13248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V |
на замовлення 9793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSC0906NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC0906NSATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSC0906NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
товару немає в наявності |