Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0906NSATMA1
BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0906NSATMA1 за ціною від 10.05 грн до 61.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 530000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
608+20.09 грн
610+20.01 грн
790+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 608
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
396+30.84 грн
470+25.96 грн
504+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.14 грн
250+27.73 грн
1000+15.56 грн
3000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.60 грн
50+37.14 грн
250+27.73 грн
1000+15.56 грн
3000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.17 грн
12+32.03 грн
25+24.68 грн
41+22.30 грн
50+22.15 грн
100+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.09 грн
10+34.87 грн
100+22.61 грн
500+16.23 грн
1000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+58.95 грн
17+37.41 грн
25+28.64 грн
100+23.25 грн
250+20.11 грн
500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.40 грн
8+39.92 грн
25+29.61 грн
41+26.76 грн
50+26.58 грн
100+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0906NS_DataSheet_v02_06_EN-3361152.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.