Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0906NSATMA1
BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0906NSATMA1 за ціною від 12.31 грн до 69.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
396+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 396
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.53 грн
250+26.17 грн
1000+16.07 грн
3000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.37 грн
12+33.41 грн
25+25.74 грн
50+23.10 грн
100+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+58.70 грн
397+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.93 грн
10+35.25 грн
100+22.86 грн
500+16.41 грн
1000+14.79 грн
2000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.52 грн
50+37.53 грн
250+26.17 грн
1000+16.07 грн
3000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.04 грн
8+41.63 грн
25+30.88 грн
50+27.72 грн
100+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+69.33 грн
17+44.00 грн
25+33.69 грн
100+27.34 грн
250+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0906NS_DataSheet_v02_06_EN-3361152.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.