Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0909NSATMA1
BSC0909NSATMA1

BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies

4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 34V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0909NSATMA1 за ціною від 13.57 грн до 70.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
454+26.92 грн
456+26.76 грн
542+22.53 грн
1000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : INFINEON BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.06 грн
21+41.52 грн
100+28.20 грн
500+20.07 грн
1000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.95 грн
10+39.91 грн
54+17.45 грн
147+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
на замовлення 8105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.79 грн
10+37.13 грн
100+24.06 грн
500+17.32 грн
1000+15.62 грн
2000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.75 грн
10+49.73 грн
54+20.95 грн
147+19.80 грн
1000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.