Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0909NSATMA1
BSC0909NSATMA1

BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies

4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 34V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0909NSATMA1 за ціною від 14.02 грн до 64.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
454+26.86 грн
456+26.70 грн
542+22.48 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0909NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.33 грн
15+26.76 грн
54+16.63 грн
147+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0909NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.80 грн
10+33.35 грн
54+19.96 грн
147+18.87 грн
1000+18.32 грн
5000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.18 грн
19+43.80 грн
100+27.35 грн
500+21.24 грн
1000+14.86 грн
5000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
на замовлення 8343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.37 грн
10+38.32 грн
100+24.88 грн
500+17.90 грн
1000+16.15 грн
2000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.