BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 12.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 34V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC0909NSATMA1 за ціною від 14.02 грн до 76.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0909NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 34V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V |
на замовлення 7853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSC0909NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |