BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 11.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 34V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC0909NSATMA1 за ціною від 14.22 грн до 65.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0909NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 34V Drain current: 44A Power dissipation: 27W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 34V Drain current: 44A Power dissipation: 27W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 423 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0909NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 34V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V |
на замовлення 8343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC0909NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |