Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC090N03LSGATMA1
BSC090N03LSGATMA1

BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies

1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC090N03LSGATMA1 за ціною від 14.85 грн до 79.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+15.92 грн
888+15.83 грн
1000+15.64 грн
2000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+18.73 грн
754+18.64 грн
1000+18.54 грн
2000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+21.02 грн
752+18.69 грн
760+18.51 грн
811+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.67 грн
36+21.02 грн
100+18.03 грн
250+16.52 грн
500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.28 грн
10+47.51 грн
100+30.95 грн
500+22.34 грн
1000+20.19 грн
2000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON INFNS27232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC090N03LS_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
883+15.92 грн
888+15.83 грн
1000+15.64 грн
2000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+18.73 грн
754+18.64 грн
1000+18.54 грн
2000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
669+21.02 грн
752+18.69 грн
760+18.51 грн
811+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 669 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+23.67 грн
36+21.02 грн
100+18.03 грн
250+16.52 грн
500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.28 грн
10+47.51 грн
100+30.95 грн
500+22.34 грн
1000+20.19 грн
2000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 INFNS27232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 Infineon_BSC090N03LS_DS_v02_01_en.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.