BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 883+ | 14.33 грн |
| 888+ | 14.24 грн |
| 1000+ | 14.07 грн |
| 2000+ | 13.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC090N03LSGATMA1 за ціною від 14.32 грн до 69.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 7500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSC090N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 32W Drain current: 39A Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |