BSC090N03LSGATMA1

BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies


1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 0.0075 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC090N03LSGATMA1 за ціною від 11.98 грн до 47.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
883+13.83 грн
888+13.75 грн
1000+13.58 грн
2000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 883
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+16.27 грн
754+16.19 грн
1000+16.11 грн
2000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
669+18.25 грн
752+16.24 грн
760+16.07 грн
811+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 669
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+19.09 грн
36+16.95 грн
100+14.54 грн
250+13.33 грн
500+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f Description: MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 21280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.56 грн
14+22.79 грн
100+19.83 грн
500+18.23 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC090N03LS_DS_v02_01_en-1226326.pdf MOSFETs N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.89 грн
12+29.27 грн
100+18.98 грн
500+16.15 грн
1000+15.78 грн
2500+14.88 грн
5000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f Description: INFINEON - BSC090N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 48 A, 0.0075 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.83 грн
21+41.24 грн
100+29.55 грн
500+23.49 грн
1000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1310bsc090n03ls_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f BSC090N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.