BSC090N03MSGATMA1

BSC090N03MSGATMA1 Infineon Technologies


4949bsc090n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1412+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 1412
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC090N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC090N03MSGATMA1 за ціною від 25.42 грн до 27.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC090N03MSGATMA1 BSC090N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4949bsc090n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1 BSC090N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4949bsc090n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
446+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1 BSC090N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC090N03MSG-DS-v02_01-en-1225570.pdf MOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1 BSC090N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC090N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de715bb50390 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03MSGATMA1 BSC090N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC090N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de715bb50390 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.