Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0910NDIATMA1
BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSC0910NDIATMA1 за ціною від 56.91 грн до 191.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+85.55 грн
172+85.26 грн
200+82.12 грн
500+75.86 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0910NDI_DS_v02_00_en-1731176.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+169.04 грн
10+137.27 грн
25+111.11 грн
100+83.33 грн
500+66.89 грн
5000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.70 грн
10+119.86 грн
100+82.24 грн
500+62.06 грн
1000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.44 грн
10+141.57 грн
100+102.15 грн
500+83.01 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+185.44 грн
104+141.57 грн
144+102.15 грн
500+83.01 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+190.25 грн
100+189.75 грн
250+182.51 грн
500+168.55 грн
1000+161.38 грн
3000+160.96 грн
6000+160.53 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.24 грн
10+190.74 грн
25+190.25 грн
100+182.98 грн
250+168.99 грн
500+161.80 грн
1000+161.38 грн
3000+160.96 грн
6000+160.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 INFINEON 2577518.pdf Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+85.55 грн
172+85.26 грн
200+82.12 грн
500+75.86 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon_BSC0910NDI_DS_v02_00_en-1731176.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.04 грн
10+137.27 грн
25+111.11 грн
100+83.33 грн
500+66.89 грн
5000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.70 грн
10+119.86 грн
100+82.24 грн
500+62.06 грн
1000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+185.44 грн
10+141.57 грн
100+102.15 грн
500+83.01 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+185.44 грн
104+141.57 грн
144+102.15 грн
500+83.01 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+190.25 грн
100+189.75 грн
250+182.51 грн
500+168.55 грн
1000+161.38 грн
3000+160.96 грн
6000+160.53 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+191.24 грн
10+190.74 грн
25+190.25 грн
100+182.98 грн
250+168.99 грн
500+161.80 грн
1000+161.38 грн
3000+160.96 грн
6000+160.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 2577518.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.