Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0910NDIATMA1
BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0910NDIATMA1 за ціною від 41.48 грн до 190.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.90 грн
500+48.02 грн
1000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+67.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+71.93 грн
172+71.69 грн
200+69.05 грн
500+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : INFINEON 2577518.pdf Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.63 грн
10+94.41 грн
100+77.40 грн
500+60.50 грн
1000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+155.92 грн
104+119.03 грн
144+85.89 грн
500+69.80 грн
1000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+159.96 грн
100+159.55 грн
250+153.45 грн
500+141.71 грн
1000+135.69 грн
3000+135.34 грн
6000+134.98 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.05 грн
10+127.54 грн
100+92.02 грн
500+74.78 грн
1000+64.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0910NDI_DS_v02_00_en-1731176.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.73 грн
10+138.64 грн
25+112.22 грн
100+84.16 грн
500+67.56 грн
5000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.28 грн
10+171.83 грн
25+171.39 грн
100+164.84 грн
250+152.24 грн
500+145.76 грн
1000+145.38 грн
3000+145.00 грн
6000+144.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.29 грн
10+124.16 грн
100+85.19 грн
500+64.29 грн
1000+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.