Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0910NDIATMA1
BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSC0910NDIATMA1 за ціною від 58.66 грн до 184.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.60 грн
172+82.32 грн
200+79.29 грн
500+73.25 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.04 грн
10+136.69 грн
100+98.62 грн
500+80.15 грн
1000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.04 грн
104+136.69 грн
144+98.62 грн
500+80.15 грн
1000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.55 грн
10+119.76 грн
100+82.17 грн
500+62.01 грн
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.69 грн
100+183.21 грн
250+176.21 грн
500+162.73 грн
1000+155.81 грн
3000+155.41 грн
6000+155.00 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.64 грн
10+184.16 грн
25+183.69 грн
100+176.67 грн
250+163.16 грн
500+156.22 грн
1000+155.81 грн
3000+155.41 грн
6000+155.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0910NDI_DS_v02_00_en-1731176.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+82.60 грн
172+82.32 грн
200+79.29 грн
500+73.25 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+179.04 грн
10+136.69 грн
100+98.62 грн
500+80.15 грн
1000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+179.04 грн
104+136.69 грн
144+98.62 грн
500+80.15 грн
1000+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.55 грн
10+119.76 грн
100+82.17 грн
500+62.01 грн
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+183.69 грн
100+183.21 грн
250+176.21 грн
500+162.73 грн
1000+155.81 грн
3000+155.41 грн
6000+155.00 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+184.64 грн
10+184.16 грн
25+183.69 грн
100+176.67 грн
250+163.16 грн
500+156.22 грн
1000+155.81 грн
3000+155.41 грн
6000+155.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon_BSC0910NDI_DS_v02_00_en-1731176.pdf
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.