BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 58.00 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BSC0911NDATMA1 за ціною від 49.65 грн до 208.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 61594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 151518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 9630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8 |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
BSC0911NDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BSC0911NDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC0911NDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 59.02 грн |
| BSC0911NDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 59.03 грн |
| BSC0911NDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 61594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 453+ | 78.28 грн |
| 500+ | 74.95 грн |
| 1000+ | 70.78 грн |
| BSC0911NDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 151518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 453+ | 78.28 грн |
| 500+ | 74.95 грн |
| 1000+ | 70.78 грн |
| BSC0911NDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 94.50 грн |
| 160+ | 89.11 грн |
| 216+ | 65.68 грн |
| 227+ | 60.42 грн |
| 500+ | 52.40 грн |
| 1000+ | 49.73 грн |
| 2000+ | 49.65 грн |
| BSC0911NDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.14 грн |
| 10+ | 129.61 грн |
| 100+ | 89.30 грн |
| 500+ | 67.64 грн |
| 1000+ | 64.46 грн |
| BSC0911NDATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC0911NDATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC0911NDATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)