Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0911NDATMA1
BSC0911NDATMA1

BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies

309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0911NDATMA1 за ціною від 34.24 грн до 125.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.03 грн
500+42.07 грн
1000+36.57 грн
5000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 61594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
453+67.38 грн
500+64.51 грн
1000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 151518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
453+67.38 грн
500+64.51 грн
1000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+81.34 грн
160+76.70 грн
216+56.53 грн
227+52.00 грн
500+45.10 грн
1000+42.81 грн
2000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.35 грн
13+67.59 грн
100+48.03 грн
500+42.07 грн
1000+36.57 грн
5000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
10+90.89 грн
100+64.76 грн
500+51.58 грн
1000+45.82 грн
2000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0911ND_DS_v02_00_en-1226214.pdf MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
на замовлення 6697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.31 грн
10+98.14 грн
100+60.77 грн
250+60.69 грн
500+49.66 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.