Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0911NDATMA1
BSC0911NDATMA1

BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies

309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0911NDATMA1 за ціною від 49.54 грн до 207.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 61594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.11 грн
500+74.78 грн
1000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 151518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+78.11 грн
500+74.78 грн
1000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.29 грн
160+88.92 грн
216+65.53 грн
227+60.28 грн
500+52.28 грн
1000+49.62 грн
2000+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.68 грн
10+129.32 грн
100+89.10 грн
500+67.49 грн
1000+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0911ND_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 INFINEON INFNS27902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 INFINEON INFNS27902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
BSC0911NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946
BSC0911NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
BSC0911NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 61594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
453+78.11 грн
500+74.78 грн
1000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
BSC0911NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 151518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
453+78.11 грн
500+74.78 грн
1000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
BSC0911NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+94.29 грн
160+88.92 грн
216+65.53 грн
227+60.28 грн
500+52.28 грн
1000+49.62 грн
2000+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946
BSC0911NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.68 грн
10+129.32 грн
100+89.10 грн
500+67.49 грн
1000+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 Infineon_BSC0911ND_DS_v02_00_en.pdf
BSC0911NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 INFNS27902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0911NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 INFNS27902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0911NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.