Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0921NDIATMA1
BSC0921NDIATMA1

BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
368+33.76 грн
383+32.41 грн
500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0921NDIATMA1 за ціною від 28.36 грн до 147.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 54929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
555+55.90 грн
1000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
555+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+58.48 грн
252+49.30 грн
266+46.65 грн
500+37.89 грн
1000+32.12 грн
2000+28.50 грн
5000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.17 грн
500+51.15 грн
1000+44.09 грн
5000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+72.95 грн
181+68.73 грн
208+59.72 грн
218+54.95 грн
1000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.29 грн
10+65.11 грн
25+55.92 грн
100+48.17 грн
250+48.10 грн
500+43.76 грн
1000+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+96.44 грн
12+73.07 грн
100+61.17 грн
500+51.15 грн
1000+44.09 грн
5000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.45 грн
10+90.92 грн
100+61.48 грн
500+45.86 грн
1000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.