Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0921NDIATMA1
BSC0921NDIATMA1

BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
368+38.40 грн
383+36.87 грн
500+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSC0921NDIATMA1 за ціною від 32.26 грн до 181.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 54929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+63.58 грн
1000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.51 грн
252+56.07 грн
266+53.06 грн
500+43.09 грн
1000+36.54 грн
2000+32.42 грн
5000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+82.98 грн
181+78.18 грн
208+67.93 грн
218+62.51 грн
1000+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 11282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.97 грн
10+112.83 грн
50+85.83 грн
100+72.36 грн
500+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0921NDI_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
555+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 54929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
555+63.58 грн
1000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+66.51 грн
252+56.07 грн
266+53.06 грн
500+43.09 грн
1000+36.54 грн
2000+32.42 грн
5000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+82.98 грн
181+78.18 грн
208+67.93 грн
218+62.51 грн
1000+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 11282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.97 грн
10+112.83 грн
50+85.83 грн
100+72.36 грн
500+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 Infineon_BSC0921NDI_DS_v02_00_en.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036
BSC0921NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036
BSC0921NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.