BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 368+ | 34.72 грн |
| 383+ | 33.34 грн |
| 500+ | 32.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC0921NDIATMA1 за ціною від 29.16 грн до 151.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 54929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 1909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 |
на замовлення 3454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 11941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0921NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |