Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0921NDIATMA1
BSC0921NDIATMA1

BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
368+32.96 грн
383+31.65 грн
500+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0039 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0039ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0039ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0921NDIATMA1 за ціною від 27.69 грн до 95.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0039 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0039ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.62 грн
500+40.81 грн
1000+35.24 грн
5000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 54929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
555+54.57 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
555+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+57.09 грн
252+48.13 грн
266+45.54 грн
500+36.99 грн
1000+31.36 грн
2000+27.82 грн
5000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+71.22 грн
181+67.10 грн
208+58.30 грн
218+53.65 грн
1000+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0039 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0039ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.03 грн
14+61.89 грн
100+52.62 грн
500+40.81 грн
1000+35.24 грн
5000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.28 грн
10+65.99 грн
25+55.24 грн
100+48.05 грн
250+47.52 грн
500+43.23 грн
1000+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 12908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.18 грн
10+65.28 грн
100+54.49 грн
500+45.07 грн
1000+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.