Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0921NDIATMA1
BSC0921NDIATMA1

BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
368+33.36 грн
383+32.03 грн
500+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0039 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0039ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0039ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC0921NDIATMA1 за ціною від 28.02 грн до 127.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 54929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
555+55.23 грн
1000+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
555+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+57.78 грн
252+48.71 грн
266+46.10 грн
500+37.44 грн
1000+31.74 грн
2000+28.16 грн
5000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+72.09 грн
181+67.92 грн
208+59.01 грн
218+54.30 грн
1000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0039 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0039ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.12 грн
500+59.15 грн
1000+44.45 грн
5000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0921NDI_DS_v02_00_en-1731268.pdf MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.36 грн
10+76.39 грн
25+64.36 грн
100+53.73 грн
250+52.50 грн
500+47.30 грн
1000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 12948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.07 грн
10+83.63 грн
100+62.99 грн
500+48.26 грн
1000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0039 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0039ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.06 грн
10+96.16 грн
100+75.12 грн
500+59.15 грн
1000+44.45 грн
5000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.