BSC0924NDIATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.56 грн |
| 500+ | 22.24 грн |
| 1000+ | 20.31 грн |
| 5000+ | 20.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0924NDIATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0038 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0038ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC0924NDIATMA1 за ціною від 20.48 грн до 118.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 2799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 2799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 74634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC0924NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSC0924NDIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |