Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0924NDIATMA1
BSC0924NDIATMA1

BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSC0924NDIATMA1 за ціною від 11.48 грн до 113.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.75 грн
10000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.85 грн
10000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON 2354721.pdf Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.89 грн
500+28.18 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.71 грн
541+26.18 грн
546+25.91 грн
703+19.41 грн
1057+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.17 грн
19+40.11 грн
25+39.71 грн
100+25.25 грн
250+23.13 грн
500+17.26 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.58 грн
210+67.66 грн
500+53.13 грн
1000+46.73 грн
2000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON 2354721.pdf Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.37 грн
18+47.12 грн
100+38.89 грн
500+28.18 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 74634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+69.18 грн
100+46.07 грн
500+33.95 грн
1000+30.96 грн
2000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+36.75 грн
10000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+36.85 грн
10000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 2354721.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.89 грн
500+28.18 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
357+39.71 грн
541+26.18 грн
546+25.91 грн
703+19.41 грн
1057+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+64.17 грн
19+40.11 грн
25+39.71 грн
100+25.25 грн
250+23.13 грн
500+17.26 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
140+101.58 грн
210+67.66 грн
500+53.13 грн
1000+46.73 грн
2000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 2354721.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+109.37 грн
18+47.12 грн
100+38.89 грн
500+28.18 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5
BSC0924NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 74634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.39 грн
10+69.18 грн
100+46.07 грн
500+33.95 грн
1000+30.96 грн
2000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.