Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0925NDATMA1
BSC0925NDATMA1

BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies

11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 30W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 30W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC0925NDATMA1 за ціною від 18.96 грн до 96.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 11218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1086+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 1086
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 37880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1086+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 1086
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1086+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 1086
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 30W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 30W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.24 грн
500+20.61 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
338+36.20 грн
375+32.54 грн
389+31.40 грн
500+28.86 грн
1000+25.56 грн
5000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 30W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 30W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.52 грн
18+48.53 грн
100+35.24 грн
500+20.61 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.29 грн
10+58.47 грн
100+38.62 грн
500+28.25 грн
1000+25.68 грн
2000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 11946bsc0925nd_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7filei.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 BSC0925NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0925ND_DS_v02_00_en-3360852.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.