BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 23.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 30W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 30W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC0925NDATMA1 за ціною від 22.79 грн до 103.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 11218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 37880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0925NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 30W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 30W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC0925NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0925NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 30W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 30W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 8133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TISON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSC0925NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
товару немає в наявності |