BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 92.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC093N15NS5ATMA1 за ціною від 95.53 грн до 368.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 18474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V |
на замовлення 28262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 7062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 87A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 87A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| BSC093N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |