Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC093N15NS5ATMA1
BSC093N15NS5ATMA1

BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+116.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm.

Інші пропозиції BSC093N15NS5ATMA1 за ціною від 119.11 грн до 371.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.13 грн
10+185.24 грн
25+181.76 грн
100+152.50 грн
250+139.78 грн
500+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+233.13 грн
77+185.24 грн
78+181.76 грн
100+152.50 грн
250+139.78 грн
500+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175 Description: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.49 грн
10+223.23 грн
50+173.99 грн
100+148.42 грн
500+121.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.57 грн
10+241.23 грн
25+153.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+371.57 грн
59+241.23 грн
92+153.69 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon_bsc093n15ns5_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 19525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 INFINEON 3816825.pdf Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 8068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 INFINEON 3816825.pdf Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 8068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+233.13 грн
10+185.24 грн
25+181.76 грн
100+152.50 грн
250+139.78 грн
500+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+233.13 грн
77+185.24 грн
78+181.76 грн
100+152.50 грн
250+139.78 грн
500+119.11 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.49 грн
10+223.23 грн
50+173.99 грн
100+148.42 грн
500+121.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+371.57 грн
10+241.23 грн
25+153.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+371.57 грн
59+241.23 грн
92+153.69 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineon_bsc093n15ns5_datasheet_en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 19525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 3816825.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 8068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 3816825.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 8068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.