Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC093N15NS5ATMA1
BSC093N15NS5ATMA1

BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+93.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm.

Інші пропозиції BSC093N15NS5ATMA1 за ціною від 103.93 грн до 375.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+134.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+134.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.74 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc093n15ns5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.64 грн
79+180.09 грн
100+166.89 грн
200+159.11 грн
500+122.91 грн
2000+114.76 грн
5000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+196.11 грн
75+188.64 грн
100+182.23 грн
250+170.40 грн
500+153.48 грн
1000+143.74 грн
2500+140.57 грн
5000+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175 Description: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 28262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.18 грн
10+186.54 грн
100+131.29 грн
500+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.18 грн
10+240.82 грн
25+222.15 грн
100+171.48 грн
250+157.18 грн
500+130.36 грн
1000+127.86 грн
3000+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+375.18 грн
59+240.82 грн
64+222.15 грн
100+171.48 грн
250+157.18 грн
500+130.36 грн
1000+127.86 грн
3000+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC093N15NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 7062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 INFINEON 3816825.pdf Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 8618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 INFINEON 3816825.pdf Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+134.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+134.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+163.74 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineon-bsc093n15ns5-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+187.64 грн
79+180.09 грн
100+166.89 грн
200+159.11 грн
500+122.91 грн
2000+114.76 грн
5000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+196.11 грн
75+188.64 грн
100+182.23 грн
250+170.40 грн
500+153.48 грн
1000+143.74 грн
2500+140.57 грн
5000+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 28262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.18 грн
10+186.54 грн
100+131.29 грн
500+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+375.18 грн
10+240.82 грн
25+222.15 грн
100+171.48 грн
250+157.18 грн
500+130.36 грн
1000+127.86 грн
3000+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 infineonbsc093n15ns5datasheetv0204en.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+375.18 грн
59+240.82 грн
64+222.15 грн
100+171.48 грн
250+157.18 грн
500+130.36 грн
1000+127.86 грн
3000+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 Infineon_BSC093N15NS5_DataSheet_v02_04_EN.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 7062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 3816825.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 8618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 3816825.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 9300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.