BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 327.14 грн |
| 10+ | 208.43 грн |
| 100+ | 147.75 грн |
| 500+ | 120.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC093N15NS5SCATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC093N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BSC093N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
BSC093N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC093N15NS5SCATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSC093N15NS5SCATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC093N15NS5SCATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)