BSC094N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 25.45 грн |
| 10000+ | 23.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC094N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BSC094N06LS5ATMA1 за ціною від 24.52 грн до 116.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC094N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC094N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC094N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC094N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC094N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V |
на замовлення 11922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC094N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 6159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC094N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC094N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC094N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |