Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC094N06LS5ATMA1
BSC094N06LS5ATMA1

BSC094N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC094N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5ce52407ba3 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC094N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSC094N06LS5ATMA1 за ціною від 23.56 грн до 111.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc094n06ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc094n06ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc094n06ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc094n06ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+70.13 грн
224+55.02 грн
240+51.41 грн
1000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC094N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5ce52407ba3 Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 10040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.77 грн
10+59.22 грн
100+41.55 грн
500+30.54 грн
1000+27.82 грн
2000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC094N06LS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 6874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.73 грн
10+64.24 грн
100+39.98 грн
500+31.39 грн
1000+27.21 грн
2500+26.83 грн
5000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc094n06ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc094n06ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc094n06ls5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC094N06LS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC094N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5ce52407ba3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 47A; 36W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.