Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC097N06NSATMA1
BSC097N06NSATMA1

BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC097N06NSATMA1 за ціною від 15.91 грн до 115.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.68 грн
10000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.18 грн
10000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.99 грн
10000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 48523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
333+37.21 грн
352+35.23 грн
500+30.70 грн
1000+25.62 грн
5000+20.85 грн
10000+18.74 грн
20000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 21184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.00 грн
10+59.42 грн
100+41.16 грн
500+31.10 грн
1000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC097N06NS_DataSheet_v02_02_EN-3360626.pdf MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.46 грн
10+67.71 грн
100+41.09 грн
500+33.37 грн
1000+27.87 грн
5000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.65 грн
50+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1
Код товару: 124600
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387970BDE37411C&compId=BSC097N06NS-DTE.pdf?ci_sign=c5a024af0890efb681719e6169d21bdfa1fda0cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.