Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC097N06NSATMA1
BSC097N06NSATMA1

BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC097N06NSATMA1 за ціною від 15.69 грн до 99.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.21 грн
10000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.33 грн
10000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.54 грн
10000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 48523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
333+36.68 грн
352+34.73 грн
500+30.26 грн
1000+25.26 грн
5000+20.55 грн
10000+18.48 грн
20000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.24 грн
250+38.32 грн
1000+27.29 грн
3000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.36 грн
50+45.24 грн
250+38.32 грн
1000+27.29 грн
3000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 21184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.57 грн
10+57.90 грн
100+40.11 грн
500+30.30 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC097N06NS_DataSheet_v02_02_EN-3360626.pdf MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.84 грн
10+65.98 грн
100+40.03 грн
500+32.52 грн
1000+27.16 грн
5000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1
Код товару: 124600
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387970BDE37411C&compId=BSC097N06NS-DTE.pdf?ci_sign=c5a024af0890efb681719e6169d21bdfa1fda0cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387970BDE37411C&compId=BSC097N06NS-DTE.pdf?ci_sign=c5a024af0890efb681719e6169d21bdfa1fda0cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.