Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC097N06NSATMA1

BSC097N06NSATMA1

Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155
Код товару: 124600
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC097N06NSATMA1 за ціною від 23.26 грн до 111.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.47 грн
250+47.12 грн
1000+30.01 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC097N06NS_DataSheet_v02_02_EN-3360626.pdf MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.56 грн
10+62.49 грн
100+37.92 грн
500+30.80 грн
1000+25.73 грн
5000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.67 грн
10+63.30 грн
100+42.03 грн
500+30.88 грн
1000+28.12 грн
2000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.01 грн
50+70.47 грн
250+47.12 грн
1000+30.01 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155
BSC097N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+70.47 грн
250+47.12 грн
1000+30.01 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 Infineon_BSC097N06NS_DataSheet_v02_02_EN-3360626.pdf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+94.56 грн
10+62.49 грн
100+37.92 грн
500+30.80 грн
1000+25.73 грн
5000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155
BSC097N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+104.67 грн
10+63.30 грн
100+42.03 грн
500+30.88 грн
1000+28.12 грн
2000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155
BSC097N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.01 грн
50+70.47 грн
250+47.12 грн
1000+30.01 грн
3000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.