Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC097N06NSATMA1
BSC097N06NSATMA1

BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm.

Інші пропозиції BSC097N06NSATMA1 за ціною від 21.92 грн до 76.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.36 грн
10000+ 22.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.86 грн
10000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.7 грн
500+ 30.8 грн
1000+ 22.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC097N06NS_DataSheet_v02_02_EN-3360626.pdf MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.5 грн
10+ 49.7 грн
100+ 34.5 грн
500+ 29.57 грн
1000+ 23.31 грн
5000+ 22.18 грн
10000+ 21.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 21049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.51 грн
10+ 47.73 грн
100+ 37.12 грн
500+ 29.53 грн
1000+ 24.05 грн
2000+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+64.32 грн
15+ 52.97 грн
100+ 38.7 грн
500+ 30.8 грн
1000+ 22.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 49828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
152+76.99 грн
170+ 68.86 грн
208+ 56.35 грн
221+ 51.08 грн
500+ 42.43 грн
1000+ 33.67 грн
5000+ 29.34 грн
20000+ 26.53 грн
Мінімальне замовлення: 152
BSC097N06NSATMA1
Код товару: 124600 		Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC097N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC097N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній