Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC097N06NSATMA1

BSC097N06NSATMA1

Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155
Код товару: 124600
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC097N06NSATMA1 за ціною від 18.06 грн до 71.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.54 грн
10000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.01 грн
10000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 48523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.24 грн
352+39.99 грн
500+34.84 грн
1000+29.08 грн
5000+23.67 грн
10000+21.27 грн
20000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.58 грн
10+43.06 грн
100+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC097N06NS_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+27.54 грн
10000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+28.01 грн
10000+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 48523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
333+42.24 грн
352+39.99 грн
500+34.84 грн
1000+29.08 грн
5000+23.67 грн
10000+21.27 грн
20000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155
BSC097N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.58 грн
10+43.06 грн
100+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 Infineon_BSC097N06NS_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC097N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC097N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.