Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC097N06NSTATMA1
BSC097N06NSTATMA1

BSC097N06NSTATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC097N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e889d2cc1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 16939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
614+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC097N06NSTATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSC097N06NSTATMA1 за ціною від 29.74 грн до 124.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC097N06NSTATMA1 BSC097N06NSTATMA1 INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.94 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1 BSC097N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC097N06NST_DataSheet_v02_01_EN-3360853.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.87 грн
10+68.01 грн
100+46.31 грн
500+39.54 грн
1000+30.59 грн
2500+30.24 грн
5000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1 BSC097N06NSTATMA1 INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.99 грн
11+79.43 грн
100+52.71 грн
500+38.94 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1 INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC097N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+38.94 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1 Infineon_BSC097N06NST_DataSheet_v02_01_EN-3360853.pdf
BSC097N06NSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.87 грн
10+68.01 грн
100+46.31 грн
500+39.54 грн
1000+30.59 грн
2500+30.24 грн
5000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSTATMA1 INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC097N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+124.99 грн
11+79.43 грн
100+52.71 грн
500+38.94 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.