BSC097N06NSTATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 614+ | 36.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC097N06NSTATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BSC097N06NSTATMA1 за ціною від 29.35 грн до 123.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 16939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 5197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |