Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC098N10NS5ATMA1
BSC098N10NS5ATMA1

BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+67.54 грн
14+54.60 грн
25+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC098N10NS5ATMA1 за ціною від 39.60 грн до 153.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+73.62 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.95 грн
10+94.73 грн
100+64.20 грн
500+47.98 грн
1000+44.04 грн
2000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC098N10NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5
на замовлення 23555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC097N06NS_Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9,8 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
191+73.62 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+153.95 грн
10+94.73 грн
100+64.20 грн
500+47.98 грн
1000+44.04 грн
2000+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon_BSC098N10NS5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5
на замовлення 23555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 infineonbsc098n10ns5dsv0201en.pdf
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC097N06NS_Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9,8 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.