BSC098N10NS5ATMA1

BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC098N10NS5ATMA1 за ціною від 31.33 грн до 134.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+60.31 грн
13+48.68 грн
25+46.98 грн
100+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+68.25 грн
190+64.58 грн
247+49.66 грн
257+46.00 грн
500+41.20 грн
1000+39.49 грн
2000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.29 грн
500+57.38 грн
1000+45.06 грн
5000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+76.80 грн
167+73.37 грн
250+70.42 грн
500+65.45 грн
1000+58.63 грн
2500+54.62 грн
5000+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.40 грн
10+66.19 грн
100+51.54 грн
500+40.91 грн
1000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC098N10NS5_DataSheet_v02_02_EN-3360728.pdf MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5
на замовлення 6923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.82 грн
10+87.65 грн
100+52.14 грн
500+44.07 грн
1000+42.86 грн
25000+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.60 грн
10+100.73 грн
100+72.29 грн
500+57.38 грн
1000+45.06 грн
5000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc098n10ns5-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.