Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0993NDATMA1
BSC0993NDATMA1

BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC0993ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598dddfb2c616c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 17A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSC0993NDATMA1 за ціною від 26.99 грн до 122.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 INFINEON 2849762.pdf Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.80 грн
500+34.74 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0993ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598dddfb2c616c Description: MOSFET 2N-CH 17A TISON8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.05 грн
10+66.66 грн
100+44.52 грн
500+32.87 грн
1000+30.00 грн
2000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0993ND_DS_v02_00_EN-1507419.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.41 грн
10+78.54 грн
100+47.58 грн
500+39.54 грн
1000+33.69 грн
5000+32.14 грн
10000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 INFINEON 2849762.pdf Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.52 грн
11+74.99 грн
100+51.80 грн
500+34.74 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1 2849762.pdf
BSC0993NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+51.80 грн
500+34.74 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1 Infineon-BSC0993ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598dddfb2c616c
BSC0993NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 17A TISON8
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.05 грн
10+66.66 грн
100+44.52 грн
500+32.87 грн
1000+30.00 грн
2000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1 Infineon_BSC0993ND_DS_v02_00_EN-1507419.pdf
BSC0993NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.41 грн
10+78.54 грн
100+47.58 грн
500+39.54 грн
1000+33.69 грн
5000+32.14 грн
10000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1 2849762.pdf
BSC0993NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+122.52 грн
11+74.99 грн
100+51.80 грн
500+34.74 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.