BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 33.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.0042 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC0993NDATMA1 за ціною від 28.73 грн до 124.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 11103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0993NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.0042 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 17A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 5035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0993NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.0042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 2886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC0993NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 17A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |