Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC100N03MSGATMA1
BSC100N03MSGATMA1

BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC100N03MSGATMA1 за ціною від 7.68 грн до 83.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+16.19 грн
64+9.57 грн
65+9.42 грн
66+8.94 грн
67+8.14 грн
100+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
603+20.25 грн
608+20.09 грн
5000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.38 грн
500+17.01 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.86 грн
39+21.70 грн
100+20.38 грн
500+17.01 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1271+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 1271
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1271+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 1271
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC100N03MSG_DS_v02_01_en-1226358.pdf MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 17697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.53 грн
13+27.67 грн
100+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC100N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de73c33c039c Description: MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.56 грн
10+50.35 грн
100+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC100N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de73c33c039c Description: MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.