Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC100N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 252035-7
Price: 97800.00 UAH
Availability: InStock

490bsc100n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	19.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC100N06LS3GATMA1 за ціною від 25.67 грн до 121.19 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	29.92 грн
10000+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 73881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	48.54 грн
500+	35.41 грн
1000+	29.57 грн
5000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
205+	60.57 грн
207+	59.96 грн
302+	40.99 грн
306+	39.13 грн
500+	27.14 грн

Мінімальне замовлення: 205

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	82.34 грн
10+	53.04 грн
25+	46.44 грн
100+	38.15 грн
250+	33.72 грн
500+	30.66 грн
1000+	28.01 грн
2000+	25.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 11763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
143+	86.64 грн
209+	59.41 грн
211+	58.83 грн

Мінімальне замовлення: 143

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 2231 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	98.81 грн
10+	66.10 грн
25+	55.73 грн
100+	45.78 грн
250+	40.47 грн
500+	36.80 грн
1000+	33.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 69185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	109.21 грн
13+	70.55 грн
100+	48.54 грн
500+	35.41 грн
1000+	29.57 грн
5000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 29658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	109.98 грн
10+	70.73 грн
25+	61.43 грн
100+	42.88 грн
250+	42.19 грн
500+	35.00 грн
1000+	32.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	115.53 грн
11+	64.89 грн
25+	64.25 грн
100+	42.34 грн
250+	38.82 грн
500+	27.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 43052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	121.19 грн
10+	73.97 грн
100+	49.48 грн
500+	36.59 грн
1000+	33.42 грн
2000+	32.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1
Код товару: 116160

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC100N06LS3GATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.