Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC100N06LS3GATMA1
BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

490bsc100n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC100N06LS3GATMA1 за ціною від 21.54 грн до 105.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.65 грн
10000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.37 грн
10000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.63 грн
10000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+52.26 грн
301+40.69 грн
304+40.28 грн
500+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.08 грн
500+40.80 грн
1000+32.65 грн
5000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.11 грн
10+46.38 грн
40+23.66 грн
108+22.40 грн
2000+22.01 грн
2500+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 22852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.69 грн
10+62.25 грн
100+45.22 грн
500+36.27 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+98.23 грн
10+65.74 грн
25+65.67 грн
100+45.68 грн
250+42.03 грн
500+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.53 грн
10+57.79 грн
40+28.39 грн
108+26.88 грн
2000+26.41 грн
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.00 грн
10+67.95 грн
25+59.01 грн
100+42.56 грн
250+42.33 грн
500+35.99 грн
1000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+105.78 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 76960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.81 грн
12+73.05 грн
100+53.08 грн
500+40.80 грн
1000+32.65 грн
5000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1
Код товару: 116160
Додати до обраних Обраний товар

BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.