Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC100N06LS3GATMA1
BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

490bsc100n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC100N06LS3GATMA1 за ціною від 20.71 грн до 104.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.36 грн
10000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.64 грн
10000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
338+36.03 грн
403+30.27 грн
500+29.70 грн
1000+27.54 грн
5000+24.78 грн
10000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.04 грн
500+39.23 грн
1000+31.40 грн
5000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.96 грн
10+44.60 грн
40+22.75 грн
108+21.54 грн
2000+21.17 грн
2500+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 33834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.84 грн
10+60.09 грн
100+43.65 грн
500+35.03 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.75 грн
10+55.58 грн
40+27.30 грн
108+25.85 грн
2000+25.40 грн
2500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+101.76 грн
12+70.25 грн
100+51.04 грн
500+39.23 грн
1000+31.40 грн
5000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.98 грн
10+69.60 грн
25+59.94 грн
100+43.25 грн
250+43.10 грн
500+36.57 грн
1000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1
Код товару: 116160
Додати до обраних Обраний товар

BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.