Інші пропозиції BSC100N06LS3GATMA1 за ціною від 26.44 грн до 121.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 11223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 67276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Gate charge: 45nC On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 50W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 36A Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 200A Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: PG-TDSON-8 |
на замовлення 1114 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
на замовлення 22095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 67276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 18460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; 50W; PG-TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |