BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 19.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC100N06LS3GATMA1 за ціною від 22.40 грн до 104.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 76860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 200A Case: PG-TDSON-8 |
на замовлення 3629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
на замовлення 22457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 8162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 200A Case: PG-TDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3629 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 12298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 75740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSC100N06LS3GATMA1 Код товару: 116160
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|