Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
Код товару: 116160
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC100N06LS3GATMA1 за ціною від 23.33 грн до 148.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.80 грн
10000+27.77 грн
15000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.20 грн
10000+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.31 грн
10000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 64865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.15 грн
500+35.35 грн
1000+28.40 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+113.29 грн
10+67.11 грн
25+56.33 грн
100+44.37 грн
250+38.60 грн
500+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 22095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.53 грн
10+73.84 грн
100+49.41 грн
500+36.54 грн
1000+33.38 грн
2000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.88 грн
12+72.86 грн
100+51.15 грн
500+35.35 грн
1000+28.40 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC100N06LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 18240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.01 грн
10+91.59 грн
100+52.58 грн
500+41.66 грн
1000+37.00 грн
2500+33.83 грн
5000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; 50W; PG-TDSON-8 Транзистори
на замовлення 14 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+30.80 грн
10000+27.77 грн
15000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+35.20 грн
10000+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+35.31 грн
10000+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
382+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 64865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+51.15 грн
500+35.35 грн
1000+28.40 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+113.29 грн
10+67.11 грн
25+56.33 грн
100+44.37 грн
250+38.60 грн
500+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 22095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.53 грн
10+73.84 грн
100+49.41 грн
500+36.54 грн
1000+33.38 грн
2000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+120.88 грн
12+72.86 грн
100+51.15 грн
500+35.35 грн
1000+28.40 грн
5000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon-BSC100N06LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 18240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+148.01 грн
10+91.59 грн
100+52.58 грн
500+41.66 грн
1000+37.00 грн
2500+33.83 грн
5000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
Виробник: Infineon
N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; 50W; PG-TDSON-8 Транзистори
на замовлення 14 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
4+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.