BSC100N10NSFGATMA1

BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies


bsc100n10nsfrev2.06.pdf Виробник: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+62.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC100N10NSFGATMA1 за ціною від 46.24 грн до 184.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.70 грн
500+63.74 грн
1000+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+83.28 грн
173+71.03 грн
500+62.63 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+85.25 грн
151+81.47 грн
175+70.37 грн
250+67.48 грн
500+54.94 грн
1000+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+108.32 грн
10+89.18 грн
100+76.06 грн
500+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+108.58 грн
10+91.34 грн
25+87.29 грн
100+72.70 грн
250+66.94 грн
500+56.51 грн
1000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.10 грн
10+106.92 грн
100+80.70 грн
500+63.74 грн
1000+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57 Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
на замовлення 5183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.92 грн
10+114.72 грн
100+78.68 грн
500+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57 Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.