BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 51.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC100N10NSFGATMA1 за ціною від 55.94 грн до 313.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V |
на замовлення 8658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BSC100N10NSFGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.4A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.4A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |