Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC100N10NSFGATMA1

BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC100N10NSFGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2080639-3
Price: 266650 UAH
Availability: InStock

BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	53.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC100N10NSFGATMA1 за ціною від 44.34 грн до 217.47 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	57.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	62.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	66.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	80.93 грн
500+	64.45 грн
1000+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

на замовлення 1281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	93.42 грн
10+	79.02 грн
25+	78.31 грн
100+	63.58 грн
250+	57.31 грн
500+	50.11 грн
1000+	44.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	147.37 грн
10+	107.03 грн
100+	80.93 грн
500+	64.45 грн
1000+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V

на замовлення 10442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	183.39 грн
10+	113.83 грн
100+	78.10 грн
500+	58.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
56+	217.47 грн
87+	140.38 грн
100+	121.72 грн
500+	92.33 грн
2000+	70.86 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	66.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSC100N10NSFGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.