Технічний опис BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC105N15LS5ATMA1 за ціною від 62.45 грн до 268.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC105N15LS5ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 3097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC105N15LS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 120.88 грн |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 124.38 грн |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.55 грн |
| 10+ | 141.04 грн |
| 100+ | 85.99 грн |
| 500+ | 69.71 грн |
| 1000+ | 66.68 грн |
| 2500+ | 62.45 грн |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.98 грн |
| 10+ | 155.46 грн |
| 100+ | 107.30 грн |
| 500+ | 81.40 грн |
| 1000+ | 75.20 грн |
| 2000+ | 69.98 грн |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 268.89 грн |
| 10+ | 174.33 грн |
| 100+ | 120.88 грн |
| BSC105N15LS5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)