BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 151+ | 82.19 грн |
| 164+ | 75.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC105N15LS5ATMA1 за ціною від 73.43 грн до 212.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC105N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC105N15LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC105N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V |
на замовлення 4916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC105N15LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC105N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| BSC105N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BSC105N15LS5ATMA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
BSC105N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BSC105N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BSC105N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
товару немає в наявності |