Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC109N10NS3GATMA1
BSC109N10NS3GATMA1

BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc109n10ns3rev2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC109N10NS3GATMA1 за ціною від 37.15 грн до 151.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.97 грн
500+49.31 грн
1000+38.69 грн
5000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+75.91 грн
232+52.92 грн
242+50.72 грн
500+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+140.46 грн
10+100.21 грн
100+69.97 грн
500+49.31 грн
1000+38.69 грн
5000+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 29206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.96 грн
10+93.37 грн
100+63.23 грн
500+47.23 грн
1000+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D950ECCBD011C&compId=BSC109N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=73b03e08e383856ad99c6b662e0bfa1e3d0a5de9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D950ECCBD011C&compId=BSC109N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=73b03e08e383856ad99c6b662e0bfa1e3d0a5de9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.