BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 38.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC109N10NS3GATMA1 за ціною від 39.61 грн до 149.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC109N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC109N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSC109N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC109N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
на замовлення 27317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC109N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSC109N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BSC109N10NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BSC109N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 78W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BSC109N10NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 78W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |