Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC109N10NS3GATMA1
BSC109N10NS3GATMA1

BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc109n10ns3rev2.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSC109N10NS3GATMA1 за ціною від 33.77 грн до 108.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.54 грн
10000+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
на замовлення 20161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+54.6 грн
500+ 44.3 грн
1000+ 33.96 грн
5000+ 33.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
203+57.92 грн
209+ 56.07 грн
227+ 51.68 грн
233+ 48.43 грн
500+ 44.75 грн
1000+ 40.79 грн
2000+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 203
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.31 грн
11+ 57.46 грн
25+ 55.66 грн
100+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
на замовлення 20161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+87.62 грн
11+ 70.77 грн
100+ 54.6 грн
500+ 44.3 грн
1000+ 33.96 грн
5000+ 33.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 33465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.33 грн
10+ 85.12 грн
100+ 66.18 грн
500+ 52.64 грн
1000+ 42.88 грн
2000+ 40.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній