BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 18.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC110N06NS3GATMA1 за ціною від 20.36 грн до 34.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 60332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V |
на замовлення 11041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 11mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BSC110N06NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 11mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |