Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC110N06NS3GATMA1
BSC110N06NS3GATMA1

BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC110N06NS3GATMA1 за ціною від 20.65 грн до 39.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+25.64 грн
25+25.35 грн
100+23.75 грн
250+21.94 грн
500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
466+26.19 грн
480+25.46 грн
507+24.08 грн
525+22.43 грн
10000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
442+27.61 грн
447+27.30 грн
460+26.52 грн
462+25.51 грн
500+23.17 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 442
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC110N06NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360638.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 69288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.51 грн
11+33.29 грн
25+28.80 грн
100+27.09 грн
250+26.71 грн
500+26.34 грн
1000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 11526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.03 грн
10+34.73 грн
100+30.59 грн
500+27.04 грн
1000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.82 грн
100+35.06 грн
500+29.30 грн
1000+25.19 грн
5000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D96AA8069611C&compId=BSC110N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=00f412b49613db1927099a64c96e7667ef282ced Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D96AA8069611C&compId=BSC110N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=00f412b49613db1927099a64c96e7667ef282ced Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.