BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 79.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSC110N15NS5ATMA1 за ціною від 81.69 грн до 271.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MV POWER MOS |
на замовлення 9932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V |
на замовлення 29254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 21648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSC110N15NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W Mounting: SMD On-state resistance: 11mΩ Drain current: 48A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 150V Pulsed drain current: 304A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |