Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC110N15NS5ATMA1

BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC110N15NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 32196614-5
Price: 418900.00 UAH
Availability: InStock

infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	83.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC110N15NS5ATMA1 за ціною від 84.24 грн до 264.00 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a

Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	86.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	88.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	89.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	105.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	113.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 23799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	119.22 грн
500+	98.41 грн
1000+	90.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
95+	134.40 грн
106+	120.79 грн
112+	113.99 грн

Мінімальне замовлення: 95

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
93+	137.89 грн
105+	122.16 грн
110+	116.91 грн

Мінімальне замовлення: 93

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	147.74 грн
10+	130.89 грн
25+	125.26 грн
100+	94.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
81+	158.98 грн
84+	152.92 грн
100+	147.73 грн
250+	138.13 грн
500+	124.42 грн
1000+	116.52 грн
2500+	113.95 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 23668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	197.82 грн
50+	154.55 грн
250+	120.99 грн
1000+	99.23 грн
3000+	90.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MV POWER MOS

на замовлення 5981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	203.90 грн
10+	156.62 грн
100+	107.07 грн
500+	99.19 грн
2500+	98.41 грн
5000+	84.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V

на замовлення 32054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	264.00 грн
10+	166.23 грн
100+	116.23 грн
500+	95.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

BSC110N15NS5ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 304A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.