Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC110N15NS5ATMA1
BSC110N15NS5ATMA1

BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+95.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

Інші пропозиції BSC110N15NS5ATMA1 за ціною від 78.25 грн до 298.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+136.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+136.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+149.82 грн
50000+137.57 грн
75000+128.67 грн
100000+117.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.17 грн
10+162.31 грн
25+160.69 грн
100+130.78 грн
250+119.88 грн
500+109.74 грн
1000+108.75 грн
3000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.17 грн
88+162.31 грн
89+160.69 грн
105+130.78 грн
250+119.88 грн
500+109.74 грн
1000+108.75 грн
3000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.12 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC110N15NS5_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+290.95 грн
10+187.55 грн
100+119.21 грн
500+100.19 грн
1000+92.15 грн
2500+86.30 грн
5000+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 27161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.50 грн
10+189.18 грн
50+146.87 грн
100+125.04 грн
500+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+136.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+136.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+149.82 грн
50000+137.57 грн
75000+128.67 грн
100000+117.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+193.17 грн
10+162.31 грн
25+160.69 грн
100+130.78 грн
250+119.88 грн
500+109.74 грн
1000+108.75 грн
3000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+193.17 грн
88+162.31 грн
89+160.69 грн
105+130.78 грн
250+119.88 грн
500+109.74 грн
1000+108.75 грн
3000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+223.12 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon_BSC110N15NS5_DataSheet_v02_06_EN.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.95 грн
10+187.55 грн
100+119.21 грн
500+100.19 грн
1000+92.15 грн
2500+86.30 грн
5000+78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 27161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.50 грн
10+189.18 грн
50+146.87 грн
100+125.04 грн
500+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.