Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC110N15NS5ATMA1
BSC110N15NS5ATMA1

BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC110N15NS5ATMA1 за ціною від 83.17 грн до 276.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+148.83 грн
50000+136.65 грн
75000+127.82 грн
100000+116.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.77 грн
250+147.19 грн
1000+110.72 грн
3000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.89 грн
10+161.24 грн
25+159.62 грн
100+129.91 грн
250+119.08 грн
500+109.01 грн
1000+108.03 грн
3000+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.89 грн
88+161.24 грн
89+159.62 грн
105+129.91 грн
250+119.08 грн
500+109.01 грн
1000+108.03 грн
3000+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC110N15NS5_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 9932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.80 грн
10+144.28 грн
100+102.20 грн
500+88.81 грн
2500+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+221.64 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 29254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
10+171.88 грн
100+120.19 грн
500+92.07 грн
1000+90.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+276.29 грн
50+190.77 грн
250+147.19 грн
1000+110.72 грн
3000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+111.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+111.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+135.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+148.83 грн
50000+136.65 грн
75000+127.82 грн
100000+116.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+190.77 грн
250+147.19 грн
1000+110.72 грн
3000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+191.89 грн
10+161.24 грн
25+159.62 грн
100+129.91 грн
250+119.08 грн
500+109.01 грн
1000+108.03 грн
3000+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
74+191.89 грн
88+161.24 грн
89+159.62 грн
105+129.91 грн
250+119.08 грн
500+109.01 грн
1000+108.03 грн
3000+96.77 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon_BSC110N15NS5_DataSheet_v02_06_EN.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 9932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+213.80 грн
10+144.28 грн
100+102.20 грн
500+88.81 грн
2500+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
64+221.64 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 29254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+272.77 грн
10+171.88 грн
100+120.19 грн
500+92.07 грн
1000+90.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+276.29 грн
50+190.77 грн
250+147.19 грн
1000+110.72 грн
3000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.