Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC110N15NS5SCATMA1
BSC110N15NS5SCATMA1

BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC110N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a69a2931d9
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC110N15NS5SCATMA1 за ціною від 106.43 грн до 334.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098626.pdf Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.06 грн
500+125.99 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 77A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+241.41 грн
16000+221.67 грн
24000+207.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC110N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a69a2931d9 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.11 грн
10+208.30 грн
100+147.88 грн
500+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC110N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.54 грн
10+217.23 грн
100+134.62 грн
500+125.46 грн
1000+119.12 грн
2000+114.89 грн
4000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098626.pdf Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.67 грн
10+222.02 грн
100+157.06 грн
500+125.99 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 4098626.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+157.06 грн
500+125.99 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 infineonbsc110n15ns5scdatasheetv0201en.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 77A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+241.41 грн
16000+221.67 грн
24000+207.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon-BSC110N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a69a2931d9
BSC110N15NS5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+302.11 грн
10+208.30 грн
100+147.88 грн
500+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon-BSC110N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+307.54 грн
10+217.23 грн
100+134.62 грн
500+125.46 грн
1000+119.12 грн
2000+114.89 грн
4000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5SCATMA1 4098626.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+334.67 грн
10+222.02 грн
100+157.06 грн
500+125.99 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.