BSC112N06LDATMA1

BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC112N06LDATMA1 за ціною від 34.57 грн до 175.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc112n06lddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc112n06lddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Виробник : INFINEON 3154614.pdf Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.79 грн
500+56.01 грн
1000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 21679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.95 грн
10+92.43 грн
100+62.65 грн
500+46.83 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC112N06LD_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.50 грн
10+103.36 грн
100+60.70 грн
500+48.36 грн
1000+45.24 грн
2500+45.17 грн
5000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Виробник : INFINEON 3154614.pdf Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.15 грн
10+111.93 грн
100+75.79 грн
500+56.01 грн
1000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc112n06ld-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Category: Transistors - Unclassified
Description: BSC112N06LDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc112n06lddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonbsc112n06lddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.