Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC112N06LDATMA1
BSC112N06LDATMA1

BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BSC112N06LDATMA1 за ціною від 42.29 грн до 142.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc112n06lddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 25966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.40 грн
10+87.54 грн
100+59.31 грн
500+44.34 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 INFINEON Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC112N06LD_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 INFINEON Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 infineonbsc112n06lddsv0200en.pdf
BSC112N06LDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
248+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6
BSC112N06LDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 25966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.40 грн
10+87.54 грн
100+59.31 грн
500+44.34 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6
BSC112N06LDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 Infineon_BSC112N06LD_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC112N06LDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC112N06LDATMA1 Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6
BSC112N06LDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.