Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC117N08NS5ATMA1
BSC117N08NS5ATMA1

BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+36.44 грн
10000+32.93 грн
15000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC117N08NS5ATMA1 за ціною від 34.61 грн до 161.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.75 грн
20000+56.42 грн
30000+52.50 грн
40000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.96 грн
250+72.20 грн
1000+45.58 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 35486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.76 грн
10+85.37 грн
100+57.55 грн
500+42.82 грн
1000+39.23 грн
2000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC117N08NS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8
на замовлення 17420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.55 грн
10+90.78 грн
100+53.71 грн
500+42.64 грн
1000+37.07 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.99 грн
50+101.96 грн
250+72.20 грн
1000+45.58 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
239+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+61.75 грн
20000+56.42 грн
30000+52.50 грн
40000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+101.96 грн
250+72.20 грн
1000+45.58 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 35486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.76 грн
10+85.37 грн
100+57.55 грн
500+42.82 грн
1000+39.23 грн
2000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 Infineon_BSC117N08NS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8
на замовлення 17420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.55 грн
10+90.78 грн
100+53.71 грн
500+42.64 грн
1000+37.07 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+161.99 грн
50+101.96 грн
250+72.20 грн
1000+45.58 грн
3000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.