Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC117N08NS5ATMA1
BSC117N08NS5ATMA1

BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSC117N08NS5ATMA1 за ціною від 36.01 грн до 125.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+41.92 грн
10000+ 38.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 60719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+71.07 грн
500+ 55.98 грн
1000+ 39.61 грн
5000+ 37.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+79.47 грн
159+ 73.82 грн
189+ 62.21 грн
200+ 56.69 грн
500+ 52.33 грн
1000+ 45.39 грн
Мінімальне замовлення: 148
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+86.42 грн
137+ 85.61 грн
175+ 67.16 грн
250+ 64.11 грн
500+ 53.75 грн
1000+ 40 грн
3000+ 38.78 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+100.37 грн
10+ 80.24 грн
25+ 79.49 грн
100+ 60.13 грн
250+ 55.12 грн
500+ 47.91 грн
1000+ 37.15 грн
3000+ 36.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 22728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.16 грн
10+ 83.87 грн
100+ 65.21 грн
500+ 51.87 грн
1000+ 42.26 грн
2000+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC117N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3360867.pdf MOSFET N-Ch 80V 49A TDSON-8
на замовлення 80643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.72 грн
10+ 86.76 грн
100+ 57.21 грн
500+ 52.67 грн
1000+ 40.39 грн
5000+ 39.32 грн
10000+ 38.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSC117N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae97632721c1b Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 60719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+125.82 грн
10+ 94.36 грн
100+ 71.07 грн
500+ 55.98 грн
1000+ 39.61 грн
5000+ 37.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 49A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC117N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 49A
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній