Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC118N10NSGATMA1
BSC118N10NSGATMA1

BSC118N10NSGATMA1 Infineon Technologies

bsc118n10nsrev1.08_pdf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC118N10NSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSC118N10NSGATMA1 за ціною від 20.34 грн до 139.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc118n10nsrev1.08_pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC118N10NS+Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647fdc2d4071c Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc118n10nsrev1.08_pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc118n10nsrev1.08_pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC118N10NS+Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647fdc2d4071c Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.27 грн
10+85.29 грн
100+57.61 грн
500+42.93 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc118n10nsrev1.08_pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc118n10nsrev1.08_pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9DCDB846011C&compId=BSC118N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=677f6c93c2498a7ba9596957c0f0ef730c263662 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 11.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9DCDB846011C&compId=BSC118N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=677f6c93c2498a7ba9596957c0f0ef730c263662 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 11.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.