Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC119N03MSCGATMA1

BSC119N03MSCGATMA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1124+31.41 грн
10000+28.00 грн
100000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC119N03MSCGATMA1 Infineon Technologies

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC119N03MSCGATMA1 - BSC119N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100, euEccn: TBC, hazardous: false, productTraceability: No, usEccn: TBC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSC119N03MSCGATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC119N03MSCGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC119N03MSCGATMA1 - BSC119N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC119N03MSCGATMA1
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC119N03MSCGATMA1 - BSC119N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.