Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC120N03LSGATMA1
BSC120N03LSGATMA1

BSC120N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC120N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501189caf1e5e4010
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+12.65 грн
10000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC120N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC120N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSC120N03LSGATMA1 за ціною від 12.55 грн до 85.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 Infineon Technologies 1312bsc120n03ls_rev1.6.pdffolderiddb3a3043132679fb0113346bdc4505a3fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC120N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501189caf1e5e4010 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+34.74 грн
100+22.53 грн
500+16.18 грн
1000+14.58 грн
2000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 INFINEON INFNS27238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC120N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.10 грн
22+37.50 грн
100+25.41 грн
500+16.65 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC120N03LS-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.52 грн
10+60.30 грн
100+32.63 грн
500+22.48 грн
1000+18.82 грн
2500+16.92 грн
5000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1 1312bsc120n03ls_rev1.6.pdffolderiddb3a3043132679fb0113346bdc4505a3fil.pdf
BSC120N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
293+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1 Infineon-BSC120N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501189caf1e5e4010
BSC120N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.88 грн
10+34.74 грн
100+22.53 грн
500+16.18 грн
1000+14.58 грн
2000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1 INFNS27238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC120N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+61.10 грн
22+37.50 грн
100+25.41 грн
500+16.65 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1 Infineon-BSC120N03LS-DS-v02_01-en.pdf
BSC120N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.52 грн
10+60.30 грн
100+32.63 грн
500+22.48 грн
1000+18.82 грн
2500+16.92 грн
5000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.