Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC120N03MSGATMA1
BSC120N03MSGATMA1

BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies

514bsc120n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC120N03MSGATMA1 за ціною від 10.50 грн до 66.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 514bsc120n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC120N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de761b1d03a5 Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 514bsc120n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 514bsc120n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 22101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
743+16.43 грн
747+16.35 грн
1014+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 743
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 514bsc120n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
701+17.41 грн
705+17.33 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 514bsc120n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 514bsc120n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
558+21.88 грн
646+18.91 грн
652+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 558
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 514bsc120n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+23.64 грн
30+20.32 грн
100+16.93 грн
250+15.52 грн
500+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC120N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de761b1d03a5 Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 26435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+35.10 грн
100+24.59 грн
500+18.94 грн
1000+16.01 грн
2000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.52 грн
21+39.86 грн
100+27.56 грн
500+18.47 грн
1000+14.57 грн
5000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC120N03MSG_DS_v02_01_en-1731225.pdf MOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 10565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.09 грн
10+42.47 грн
100+25.38 грн
500+20.67 грн
1000+17.51 грн
2500+17.21 грн
5000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 514bsc120n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC120N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 28W
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC120N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 28W
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.