BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 15.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC120N03MSGATMA1 за ціною від 10.96 грн до 35.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 17101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
на замовлення 6332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 6166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 36A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSC120N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 36A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |