Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC120N12LSGATMA1
BSC120N12LSGATMA1

BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc120n12lsgdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
190+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC120N12LSGATMA1 за ціною від 50.04 грн до 184.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 INFINEON 3154615.pdf Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.74 грн
500+56.05 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc120n12lsgdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.44 грн
1000+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc120n12lsgdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.44 грн
1000+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC120N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dc040007d Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.11 грн
10+96.13 грн
100+78.44 грн
500+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC120N12LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360696.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.68 грн
10+117.53 грн
100+76.83 грн
250+67.66 грн
500+61.88 грн
1000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 INFINEON 3154615.pdf Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.19 грн
10+119.23 грн
100+81.74 грн
500+56.05 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 3154615.pdf
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+81.74 грн
500+56.05 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 infineonbsc120n12lsgdatasheetv0200en.pdf
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
284+124.93 грн
500+112.44 грн
1000+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 infineonbsc120n12lsgdatasheetv0200en.pdf
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
284+124.93 грн
500+112.44 грн
1000+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 Infineon-BSC120N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dc040007d
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.11 грн
10+96.13 грн
100+78.44 грн
500+60.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 Infineon_BSC120N12LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360696.pdf
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.68 грн
10+117.53 грн
100+76.83 грн
250+67.66 грн
500+61.88 грн
1000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N12LSGATMA1 3154615.pdf
BSC120N12LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+184.19 грн
10+119.23 грн
100+81.74 грн
500+56.05 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.